物料参数
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 18V，20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 100 毫欧 @ 10A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.1V @ 3.3mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 24 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值）: | +25V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 671 pF @ 800 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 168W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级: | 汽车级 |
| 资质: | AEC-Q101 |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO263-7 |
| 封装/外壳: | TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA |